Name: TK3R2A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3R2A08QMS4X-ND
Price: 3.477 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK3R2A08QM,S4X
DigiKey-Teilenr.	264-TK3R2A08QMS4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK3R2A08QM,S4X
Beschreibung	UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 92 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK3R2A08QM,S4X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	92 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,2mOhm bei 46A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7670 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	€ 1,43280	€ 71,64
100	€ 1,29510	€ 129,51
500	€ 1,05372	€ 526,86
1 000	€ 0,97614	€ 976,14
2 000	€ 0,94036	€ 1 880,72

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