Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 2.53101 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK2R4E08QM,S1X
DigiKey-Teilenr.	264-TK2R4E08QMS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK2R4E08QM,S1X
Beschreibung	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK2R4E08QM,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,44mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 2,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13000 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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