Name: TK17A80W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17A80WS4X-ND
Price: 5.7584 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK17A80W,S4X
DigiKey-Teilenr.	TK17A80WS4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK17A80W,S4X
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 17 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK17A80W,S4X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	290mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 850µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2050 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK17A80

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50	€ 2,47620	€ 123,81
100	€ 2,25990	€ 225,99
500	€ 1,88100	€ 940,50
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