Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 2.3912 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
DigiKey-Teilenr.	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 30 A (Ta) 68W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TJ30S06M3L(T6L1,NQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21,8mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3950 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	68W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK+
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TJ30S06