Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFVL3FTR-ND
Price: 0.2074 EUR
Availability: InStock

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SSM3J35MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	SSM3J35MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J35MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J35MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J35MFV,L3F
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J35MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8Ohm bei 50mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12.2 pF @ 3 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	VESM
Gehäuse / Hülle	SOT-723
Basis-Produktnummer	SSM3J35

Fragen und Antworten zum Produkt

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)