Name: RN2101MFV,L3XHF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN2101MFVL3XHF(CTTR-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: InStock

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenmontage VESM

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RN2101MFV,L3XHF(CT
DigiKey-Teilenr.	264-RN2101MFVL3XHF(CTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-RN2101MFVL3XHF(CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-RN2101MFVL3XHF(CTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN2101MFV,L3XHF(CT
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	PNP mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Widerstände enthalten	R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	30 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 500µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	500nA
Frequenz - Übergang	250 MHz
Leistung - Max.	150 mW
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-723
Gehäusetyp vom Lieferanten	VESM
Basis-Produktnummer	RN2101

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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16 000	€ 0,03568	€ 570,88
24 000	€ 0,03381	€ 811,44
40 000	€ 0,03170	€ 1 268,00
56 000	€ 0,03045	€ 1 705,20
80 000	€ 0,02924	€ 2 339,20
200 000	€ 0,02699	€ 5 398,00