Name: 2SA1943-O(S1,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-2SA1943-O(S1F-ND
Price: 4.392 EUR
Availability: InStock

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Durchkontaktierung TO-3P(L)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SA1943-O(S1,F
DigiKey-Teilenr.	264-2SA1943-O(S1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	2SA1943-O(S1,F
Beschreibung	TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Durchkontaktierung TO-3P(L)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	230 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V bei 800mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	80 bei 1A, 5V
Leistung - Max.	150 W
Frequenz - Übergang	30MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3PL
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(L)

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