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STP13N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15555-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP13N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP13N65M2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 430mOhm bei 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 17 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 590 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,25000 | € 2,25 |
| 50 | € 1,10480 | € 55,24 |
| 100 | € 0,99360 | € 99,36 |
| 500 | € 0,79854 | € 399,27 |
| 1 000 | € 0,73584 | € 735,84 |
| 2 000 | € 0,68313 | € 1 366,26 |
| 5 000 | € 0,65166 | € 3 258,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,25000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,74500 |







