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N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXFP10N60P

DigiKey-Teilenr.
IXFP10N60P-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFP10N60P
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Polar
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
740mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1610 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXFP10
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