Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 5.429 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB30N65M2AG
DigiKey-Teilenr.	497-STB30N65M2AGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STB30N65M2AGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB30N65M2AG
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB30N65M2AG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1440 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB30