Name: GCMX005A170S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX005A170S3B1-N-ND
Price: 334.6826 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GCMX005A170S3B1-N
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX005A170S3B1-N-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX005A170S3B1-N
Beschreibung	SIC MOSFET MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1700V (1,7kV) 397A (Tc) 2,113kW (Tc) Chassisbefestigung

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Box
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700V (1,7kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	397A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7mOhm bei 200A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 120mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1,416µC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	43600pF bei 1,2kV
Leistung - Max.	2,113kW (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	-