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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
R6014YNX3C16
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

DigiKey-Teilenr.
SCT2120AFC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2120AFC
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 3,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 500 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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