Name: R6530KNX3C16
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6530KNX3C16-ND
Price: 6.4416 EUR
Availability: InStock

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R6530KNX3C16
DigiKey-Teilenr.	846-R6530KNX3C16-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6530KNX3C16
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 960µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2350 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	307W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	R6530

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50	€ 3,13960	€ 156,98
100	€ 2,85920	€ 285,92
500	€ 2,31406	€ 1 157,03

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