TO-220-3
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TK17E65W,S1X

DigiKey-Teilenr.
TK17E65WS1X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK17E65W,S1X
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK17E65W,S1X Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
200mOhm bei 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 900µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1800 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Nicht stornierbar / keine Rückgabe
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,13000€ 4,13
50€ 2,14020€ 107,01
100€ 1,94820€ 194,82
500€ 1,61182€ 805,91
1 000€ 1,54926€ 1 549,26
Standardverpackung des Herstellers
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