Name: RQ3G270BJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND
Price: 2.0496 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ3G270BJFRATCB
DigiKey-Teilenr.	846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RQ3G270BJFRATCBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RQ3G270BJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3G270BJFRATCB
Beschreibung	PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 27 A (Tc) 69W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	27 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 27A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 485µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+5V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1810 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	69W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN