Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 1.8178 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ3C150BCTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3C150BCTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3C150BCTB
Beschreibung	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 30 A (Tc) 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3C150BCTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,7mOhm bei 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4800 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	RQ3C150