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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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R6012FNX

DigiKey-Teilenr.
R6012FNX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6012FNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6012FNX Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
510mOhm bei 6A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (17)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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