


SPA07N60C3XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | SPA07N60C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPA07N60C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7,3 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPA07N60C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 790 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 32W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-31 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 4,6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P7XKSA1-ND | € 1,67000 | Vom Hersteller empfohlen |
| IPA60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P6XKSA1-ND | € 1,86000 | Ähnlich |
| STP10NK80ZFP | STMicroelectronics | 809 | 497-5972-5-ND | € 4,87000 | Direkter Ersatz |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | 490 | R6007ENX-ND | € 2,89000 | Ähnlich |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | 183 | R6009ENX-ND | € 3,84000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,47000 | € 2,47 |
| 50 | € 1,22480 | € 61,24 |
| 100 | € 1,10390 | € 110,39 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,47000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,01340 |








