Name: R6012JNXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6012JNXC7G-ND
Price: 4.9532 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6012JNXC7G
DigiKey-Teilenr.	846-R6012JNXC7G-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6012JNXC7G
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	390 mOhm bei 6A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	7V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	900 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220FM
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	R6012

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager

Informationen zur Lieferzeit

Bestandsbenachrichtigung anfordern

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 4,06000	€ 4,06
50	€ 2,09660	€ 104,83
100	€ 1,90680	€ 190,68
500	€ 1,57422	€ 787,11
1 000	€ 1,46743	€ 1 467,43
2 000	€ 1,45458	€ 2 909,16

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.