Name: HT8KE6TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KE6TB1TR-ND
Price: 2.2814 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HT8KE6TB1
DigiKey-Teilenr.	846-HT8KE6TB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-HT8KE6TB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-HT8KE6TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	HT8KE6TB1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 4,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5A (Ta), 13A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	57mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6,7nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	305pF bei 50V
Leistung - Max.	2W (Ta), 14W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)