IRLS620A Fairchild Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLS620A
DigiKey-Teilenr.	2156-IRLS620A-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	IRLS620A
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 4,1 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	800mOhm bei 2,05A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	430 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	26W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack