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Datenblatt
PG-TO-220-FP
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IPAW60R280CEXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPAW60R280CEXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPAW60R280CEXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 19,3 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 Full Pack, große Kriechstrecke
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 430µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
950 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220 Full Pack, große Kriechstrecke
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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