
NXVF6532M3TG01 | |
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DigiKey-Teilenr. | 5556-NXVF6532M3TG01-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXVF6532M3TG01 |
Beschreibung | SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 650V 31 A (Tc) 65,2W (Tj) Durchkontaktierung APM16 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 7,5mA |
Hersteller onsemi | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 58nC bei 18V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1215pF bei 400V |
Status der Komponente Aktiv | Leistung - Max. 65,2W (Tj) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Konfiguration 4 N-Kanal (Vollbrücke) | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V | Gehäuse / Hülle 13-SSIP, freiliegendes Pad, geformte Zuleitungen |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31 A (Tc) | Gehäusetyp vom Lieferanten APM16 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 44mOhm bei 15A, 18V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1 | € 20,91000 | € 20,91 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 20,91000 |
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| Stückpreis mit MwSt.: | € 25,51020 |



