Name: NTCR013N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTCR013N120M3S-ND
Price: 31.964 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTCR013N120M3S
DigiKey-Teilenr.	488-NTCR013N120M3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTCR013N120M3S
Beschreibung	WAFER DIE
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V Oberflächenmontage Einsatz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 37mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	254 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5813 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Einsatz
Gehäuse / Hülle	Einsatz

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