ISL9N303AS3ST onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

ISL9N303AS3ST ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISL9N303AS3ST
DigiKey-Teilenr.	ISL9N303AS3ST-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	ISL9N303AS3ST
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 75 A (Tc) 215W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	UltraFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	75 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,2mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7000 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	215W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	ISL9