Name: FDD850N10L
Brand: onsemi
SKU: FDD850N10LTR-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

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FDD850N10L
DigiKey-Teilenr.	FDD850N10LTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDD850N10LCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDD850N10L
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 15,7 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	75mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1465 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	FDD850

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