FCPF190N65S3L1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FCPF190N65S3L1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCPF190N65S3L1
DigiKey-Teilenr.	FCPF190N65S3L1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCPF190N65S3L1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 14 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® III
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1225 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	FCPF190