RF-MOSFET 65 V 200 mA 1,8MHz bis 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 65 V 200 mA 1,8MHz bis 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
NI-1230H-4S
NXP Groundbreaking 1800 W with 65 V LDMOS

MRFX1K80HR5

DigiKey-Teilenr.
568-13464-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
568-13464-1-ND - Gurtabschnitt (CT)
568-13464-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MRFX1K80HR5
Beschreibung
RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 65 V 200 mA 1,8MHz bis 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
NXP USA Inc.
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
LDMOS
Konfiguration
Zweif.
Frequenz
1,8MHz bis 470MHz
Verstärkung
24dB
Spannung - Test
65 V
Nennstrom (Ampere)
10µA
Rauschzahl
-
Strom - Test
200 mA
Leistung - Abgabe
1800W
Spannung - Nennwert
182 V
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
SOT-979A
Gehäusetyp vom Lieferanten
NI-1230-4H
Basis-Produktnummer
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Standardverpackung des Herstellers
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