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N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN4R3-100PS,127

DigiKey-Teilenr.
1727-6499-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PSMN4R3-100PS,127
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9900 pF @ 50 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
338W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,3mOhm bei 25A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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