


FDP047N10 | |
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DigiKey-Teilenr. | FDP047N10-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP047N10 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 210 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15265 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 375W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,7mOhm bei 75A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | 40 | DMTH10H005LCT-ND | € 3,02000 | Ähnlich |
| IPP048N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 141 | IPP048N12N3GXKSA1-ND | € 4,48000 | Ähnlich |
| IRF100B201 | Infineon Technologies | 1 354 | IRF100B201-ND | € 2,63000 | Ähnlich |
| STP150N10F7 | STMicroelectronics | 1 098 | 497-14570-5-ND | € 3,35000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,61000 | € 4,61 |
| 50 | € 2,41700 | € 120,85 |
| 100 | € 2,20550 | € 220,55 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,61000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,62420 |


