Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBF-ND
Price: 3.5502 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4110PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB4110PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB4110PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB4110PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9620 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	370W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRFB4110

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