Name: NXV55UNR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-NXV55UNRTR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXV55UNR
DigiKey-Teilenr.	1727-NXV55UNRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-NXV55UNRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-NXV55UNRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	NXV55UNR
Beschreibung	NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,9 A (Ta) 340mW (Ta), 2,1W (Tc) Oberflächenmontage TO-236AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NXV55UNR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	66mOhm bei 1,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	352 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	340mW (Ta), 2,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-236AB
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3