Name: G3F25MT06J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT06J-TR-ND
Price: 19.5322 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3F25MT06J-TR
DigiKey-Teilenr.	1913-G3F25MT06J-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1913-G3F25MT06J-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1913-G3F25MT06J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3F25MT06J-TR
Beschreibung	650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 108 A (Tc) 343W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	108 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	27,5mOhm bei 35A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	108 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2939 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	343W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA