Name: TP2635N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TP2635N3-G-ND
Price: 2.1106 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP2635N3-G
DigiKey-Teilenr.	TP2635N3-G-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	TP2635N3-G
Beschreibung	MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TP2635N3-G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	-
Verpackung	Tasche
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	350 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15Ohm bei 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 1mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer	TP2635