Name: IXTH120P065T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH120P065T-ND
Price: 9.577 EUR
Availability: InStock

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IXTH120P065T
DigiKey-Teilenr.	238-IXTH120P065T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH120P065T
Beschreibung	MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 65 V 120 A (Tc) 298W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	TrenchP™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	65 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	298W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXTH120

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 7,85000	€ 7,85
30	€ 4,60600	€ 138,18
120	€ 3,89417	€ 467,30
510	€ 3,50425	€ 1 787,17

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