Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP1R6N100D2-ND
Price: 4.88 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP1R6N100D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTP1R6N100D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP1R6N100D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10Ohm bei 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	645 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP1

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50	€ 2,06500	€ 103,25
100	€ 1,87750	€ 187,75
500	€ 1,54906	€ 774,53
1 000	€ 1,44361	€ 1 443,61
2 000	€ 1,42748	€ 2 854,96

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