Name: IXFT50N85XHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFT50N85XHV-ND
Price: 20.6912 EUR
Availability: InStock

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IXFT50N85XHV
DigiKey-Teilenr.	238-IXFT50N85XHV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFT50N85XHV
Beschreibung	MOSFET N-CH 850V 50A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 850 V 50 A (Tc) 890W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXFT)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXFT50N85XHV Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	850 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	105mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4480 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	890W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268HV (IXFT)
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXFT50

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