Name: IXFT150N17T2
Brand: IXYS
SKU: IXFT150N17T2-ND
Price: 6.07954 EUR
Availability: OutOfStock

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IXFT150N17T2
DigiKey-Teilenr.	IXFT150N17T2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFT150N17T2
Beschreibung	MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 175 V 150 A (Tc) 880W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXFT)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, TrenchT2™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	175 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	233 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	880W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268HV (IXFT)
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXFT150

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