Name: ISC012N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC012N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 2.4888 EUR
Availability: InStock

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ISC012N04LM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC012N04LM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC012N04LM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC012N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC012N04LM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 37A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC012N04LM6ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	37A (Ta), 238A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4600 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC012N

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,04000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,48880

ISC012N04LM6ATMA1