
DMTH10H005SCT | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | DMTH10H005SCT-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMTH10H005SCT |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 140 A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 111.7 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8474 pF @ 50 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 187W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 13A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP045N10A-F102 | onsemi | 972 | FDP045N10A-F102-ND | € 4,36000 | Ähnlich |
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 1 349 | 448-IPP045N10N3GXKSA1-ND | € 3,48000 | Ähnlich |
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | 1 192 | 448-IRLB4030PBF-ND | € 4,08000 | Ähnlich |
| STP150N10F7 | STMicroelectronics | 1 036 | 497-14570-5-ND | € 3,35000 | Ähnlich |
| SUP70040E-GE3 | Vishay Siliconix | 254 | SUP70040E-GE3-ND | € 3,68000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,11000 | € 3,11 |
| 50 | € 1,56280 | € 78,14 |
| 100 | € 1,41260 | € 141,26 |
| 500 | € 1,14952 | € 574,76 |
| 1 000 | € 1,06500 | € 1 065,00 |
| 2 000 | € 0,99395 | € 1 987,90 |
| 5 000 | € 0,93085 | € 4 654,25 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,11000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,79420 |


