PG-TO220-3-1
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IPP048N12N3GXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP048N12N3GXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP048N12N3GXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 120 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP048N12N3GXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,8mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 230µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
182 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12000 pF @ 60 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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