Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.758 EUR
Availability: InStock

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IPT015N10NF2SATMA1
cms-digikey-product-number	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPT015N10NF2SATMA1
cms-description	MOSFET
cms-standard-lead-time	18 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-10
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	IPT015N10NF2SATMA1 Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35A (Ta), 315A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 267µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	242 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-10
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,90000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 4,75800

IPT015N10NF2SATMA1