Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 5.3802 EUR
Availability: InStock

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IPT017N10NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT017N10NF2SATMA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT017N10NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 216µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 195 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9300 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-10
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33A (Ta), 294A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPT017
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,75mOhm bei 150A, 10V