IPP60R280E6XKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


Infineon Technologies
Vorrätig: 500
Stückpreis : € 2,04000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 190
Stückpreis : € 3,51000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 270
Stückpreis : € 2,45000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 582
Stückpreis : € 2,97000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 879
Stückpreis : € 4,28000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 51
Stückpreis : € 5,22000
Datenblatt

Ähnlich


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 94
Stückpreis : € 5,39000
Datenblatt
PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R280E6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP60R280E6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R280E6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13,8 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R280E6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 430µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
950 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.