Name: IPD60R385CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R385CPATMA1TR-ND
Price: 2.9158 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD60R385CPATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60R385CPATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R385CPATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R385CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60R385CPATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60R385CPATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CP
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	385mOhm bei 5,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 340µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD60R