Name: IPB50N10S3L16ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND
Price: 3.3062 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB50N10S3L16ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB50N10S3L16ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 50 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15,4mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4180 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB50N10

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1 000	€ 0,88775	€ 887,75
2 000	€ 0,84179	€ 1 683,58

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,71000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,30620

IPB50N10S3L16ATMA1