Name: IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 3.9406 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB175N20NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB175N20NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB175N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB175N20NM6ATMA1
Beschreibung	IPB175N20NM6ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 9,7A (Ta), 61A (Tc) 3,8W (Ta), 203W (Tc) Oberflächenmontage PG-263-3-U01
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,7A (Ta), 61A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15,5mOhm bei 38A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 105µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3100 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 203W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-263-3-U01
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB