IPAW70R600CEXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IPAW70R600CEXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPAW70R600CEXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPAW70R600CEXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPAW70R600CEXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 10,5 A (Tc) 86W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-FP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 210µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	474 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	86W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	IPAW70