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IMW65R030M1HXKSA1 | |
|---|---|
cms-digikey-product-number | 448-IMW65R030M1HXKSA1-ND |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | IMW65R030M1HXKSA1 |
cms-description | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
cms-standard-lead-time | 23 Wochen |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | N-Kanal 650 V 58 A (Tc) 197W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
cms-eda-cad-models | IMW65R030M1HXKSA1 Modelle |
cms-product-attributes
cms-type | cms-description | cms-select-all |
|---|---|---|
cms-category | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 42mOhm bei 29,5A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,7V bei 8,8mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -2V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1643 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 197W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-3-41 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 80
cms-incoming-leadtime-link
cms-quantity
cms-all-prices-in-currency
Stange
| cms-quantity | Stückpreis | cms-ext-price |
|---|---|---|
| 1 | € 10,14000 | € 10,14 |
| 30 | € 6,09967 | € 182,99 |
| 120 | € 5,21333 | € 625,60 |
| 510 | € 5,10425 | € 2 603,17 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 10,14000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 12,37080 |
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