Name: IMBG65R260M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R260M1HXTMA1TR-ND
Price: 4.5262 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG65R260M1HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R260M1HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R260M1HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R260M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R260M1HXTMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 6 A (Tc) 65W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG65R260M1HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSIC™ M1
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	346mOhm bei 3,6A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,7V bei 1,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	201 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	65W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-12
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	IMBG65R